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NEC电子为Xbox 360开发DRAM混载LSI和图形LSI用SiP

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NEC电子在2005年10月5日在日本幕张Messe会展中心开幕的“2005年封装工艺技术展(PROTEC JAPAN 2005)”上,展示了专为微软新一代家用游戏机“Xbox 360”开发的SiP(系统级封装)。

  在单封装中集成了NEC电子研制的DRAM混载LSI和台积电研制的图形LSI。这些裸芯片状的LSI以平置方式配置在封装中。具体来说就是指,均以flipchip方式将图形LSI和DRAM混载逻辑LSI连接到封装内部的封装底板上。在芯片与封装底板的连接中采用flipchip方式,是为了提高芯片之间的数据传输速度。在Xbox 360中,DRAM混载逻辑LSI和图形LSI之间所要求的最大数据传输速度高达22.4GB/秒。每个端子的数据传输速度超过1Gbit/秒。为了实现如此之高的数据传输速度,从封装内部的布线方法上来说,普通的丝焊法由于布线的电感效应太大,因此没有采用。SiP封装作业是由NEC电子负责的。

发表于 2006年11月02日 上午10时09分 | 评论 (0) | 引用通告 (0)

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